CXMT de China aumenta la producción de DDR5 y HBM3 — un desafío para los gigantes de la memoria

ChangXin Memory Technologies (CXMT), el principal fabricante chino de DRAM, se prepara para competir con gigantes del sector como Samsung, SK Hynix y Micron. La empresa está abandonando la producción de DDR4 para centrarse en tecnologías más avanzadas como DDR5 y HBM3.

Según un informe de DigiTimes, CXMT ya ha detenido la producción de DDR4 y planea eliminarla por completo a finales del primer trimestre de 2025. La empresa tiene objetivos ambiciosos: alcanzar una producción de 280.000 obleas por mes para finales de 2025, con un potencial de crecimiento hasta 300.000, lo que representaría alrededor del 15 % de la producción mundial de DRAM.

Retos y perspectivas de futuro

Aunque el cambio hacia DDR5 es una decisión estratégica, las primeras pruebas indican que la tecnología aún no está completamente madura. Las muestras del primer trimestre de 2025 no alcanzaron los niveles esperados de rendimiento y fueron rechazadas por un fabricante local de módulos de memoria, que optó por proveedores surcoreanos. Además, la memoria DDR5 de CXMT presenta problemas de rendimiento a altas temperaturas, lo que complica su adopción en el mercado de consumo.

A pesar de estos obstáculos, se espera que CXMT logre avances significativos antes de fin de año. Al mismo tiempo, la empresa trabaja en el desarrollo de HBM3, una tecnología clave para servidores de inteligencia artificial y centros de datos. Con HBM2 ya en uso, CXMT apunta a suministrar memoria de alto rendimiento a grandes empresas tecnológicas chinas como Huawei.

Si tiene éxito, CXMT podría sacudir el mercado global de memorias y reducir la dependencia de China de proveedores extranjeros de DRAM.