El avance de Samsung con NAND de 900 capas podría transformar el almacenamiento para IA

Según diversas informaciones, Samsung ha diseñado el primer prototipo del mundo de un chip de memoria flash 3D NAND de 900 capas. No se trata simplemente de un aumento del número de capas en las especificaciones, sino que demuestra los rápidos avances en la industria de los chips de memoria debido a la creciente demanda por parte de los sistemas de IA de chips de memoria más rápidos, densos y eficientes.

Este chip se ha fabricado utilizando la tecnología Cell Multi-Bonding de Samsung. Básicamente, Samsung ha unido dos obleas de celdas de 450 capas en un solo chip.

Por qué esto es importante para la carrera

SK hynix lidera actualmente el mercado de NAND multicapa con chips de 321 capas, mientras que Samsung está preparando la producción en masa de NAND de 400 capas. Al mismo tiempo, la empresa china YMTC está ganando terreno con chips de 294 capas que ya se encuentran en producción.

Esa presión es importante. Samsung fue pionera en la tecnología 3D V-NAND en 2013, pero las pilas más altas plantearon problemas de ingeniería reales, como la deformación de las obleas y la desalineación de las capas. Ahora, la empresa está utilizando sistemas mejorados de sujeción y corrección de superposición para superar esos límites.

Nuestra conclusión

El impacto potencial para los usuarios finales abarca desde dispositivos más pequeños y mayor capacidad, hasta un menor consumo energético en los centros de datos y mejores capacidades para el procesamiento de IA. Aunque es posible que una NAND de 900 capas no esté lista para tu portátil a corto plazo, avances como estos determinarán el futuro de tus tecnologías de almacenamiento.

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