La tecnología de memoria ZAM de Intel supone un desafío para todos los fabricantes de HBM

Recientemente se ha sabido que Intel y SoftBank ya han casi completado el desarrollo del nuevo estándar ZAM (Z-Angle Memory). La nueva tecnología podrá suponer un desafío para todos los fabricantes de HBM.

Aspectos clave de la nueva tecnología de Intel

El estándar ZAM se parecerá en gran medida al nuevo HBM4E. Sin embargo, la producción en serie de la novedad de Intel no se llevará a cabo en un futuro próximo, ya que el desarrollo no concluirá antes de 2028-2030.

Los detalles sobre la novedad se dieron a conocer en el VLSI Symposium 2026; sin embargo, a pesar de ello, la información disponible es bastante limitada. Se prevé que ZAM tenga una estructura de 9 capas. Un controlador lógico estará situado en el sustrato principal. También se sabe que la pila principal estará compuesta por 8 módulos de DRAM.

La tecnología constará de 3 niveles principales de TSV, que utilizarán conexiones híbridas. La principal ventaja será una mayor densidad de ancho de banda de ~0,25 Tb/s/mm². Además, habrá un menor consumo energético y una mejor disipación del calor.

ZAM admite más de 9 capas de densidad ultraalta con interconexiones TSV en cada capa. La nueva arquitectura está perfectamente optimizada para tareas relacionadas con la IA.

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