Tras la introducción por parte de Micron de chips DDR5 de 24 GB, llega el turno de la producción en masa de chips DDR5 de 32 GB y más potentes en la primera mitad de 2024. Este avance forma parte del anuncio de la memoria HBM3 Gen2.
La memoria DDR5 de 32 GB de Micron se creará utilizando su vanguardista proceso 1β (1-beta), que notablemente no depende de la litografía ultravioleta extrema. Aunque Micron no ha revelado las velocidades de transferencia de datos de estos nuevos bloques de 32 gigabits, encierran el potencial para desarrollar módulos DDR5 con la asombrosa capacidad de 1 TB. Sin embargo, Micron tiene previsto ofrecer inicialmente módulos de 128 GB el año que viene, lo que demuestra un enfoque prudente respecto a la memoria de máxima capacidad.
En cuanto a la memoria HBM3 Gen2, presume de un ancho de banda total de 1,2 TB/s en su configuración de pila de 8 niveles. Como resultado, Micron designa la capacidad máxima para esta generación como 24 GB, con esquemas de 36 GB que podrían introducirse en breve. Cabe destacar que la eficiencia energética de este nuevo producto se ha multiplicado por 2,5 en comparación con la generación anterior, HBM2E.
De cara al futuro, la hoja de ruta de Micron incluye la memoria HBMNex, que probablemente se denominará HBM4. Prevista para 2026, esta memoria de nueva generación promete ofrecer un impresionante ancho de banda de más de 2 TB/s y capacidades de hasta 64 GB. Estos avances significan la dedicación de Micron a superar los límites de la tecnología de memoria y satisfacer las crecientes demandas de las aplicaciones informáticas.
