Samsung aumentará la producción de DRAM mediante la modernización de sus fábricas

Ante la elevada demanda de memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM), el gigante surcoreano Samsung Electronics ha decidido no construir nuevas instalaciones de fabricación: en lugar de una expansión física, la empresa se está centrando en optimizar la capacidad existente y en la transición hacia nodos de proceso más avanzados.

Optimización de las líneas de producción en Pyeongtaek y reconversión de la fábrica de Hwaseong 

Un elemento clave de la estrategia de Samsung para aumentar la producción de DRAM es la transición del nodo de proceso 1b al nodo 1c, más avanzado, junto con la renovación de los equipos de sus fábricas operativas. Se está llevando a cabo una actualización activa de los equipos en la planta de Pyeongtaek; esta representó el 49,5 % de la producción de DRAM de la empresa el año pasado, y se espera que esa cuota aumente hasta el 55,4 % el próximo año. 

Al mismo tiempo, en Hwaseong, las antiguas líneas de NAND 2D se están reacondicionando para las pruebas y el encapsulado de DRAM. La conversión de estas líneas ya establecidas permite aumentar el volumen de producción sin gastos innecesarios, aunque conlleva ciertas limitaciones tecnológicas. 

Según las previsiones de Omdia, la producción de DRAM de Samsung crecerá un 6 % este año (alcanzando los 8,2 millones de obleas) y solo un 1,3 % el año que viene.

Recorte de costes en medio de la agresiva ofensiva de SK Hynix 

Mientras Samsung se esfuerza por alcanzar la máxima eficiencia en todas sus líneas existentes, su principal competidor, SK Hynix, está siguiendo una estrategia más agresiva. 

SK Hynix tiene previsto aumentar su volumen de procesamiento de obleas en casi un 10 % este año, lo que elevará el total a 6,66 millones de unidades. Como resultado, la ventaja de Samsung sobre SK Hynix en la producción de DRAM, que el año pasado se situó en el 27 %, podría reducirse al 13,6 % a finales del próximo año. 

Los analistas señalan que, durante los periodos de escasez de memoria, la estrategia de expansión de SK Hynix ofrece una mayor flexibilidad para saturar el mercado, mientras que Samsung se basa en los avances en los nodos de proceso y en la calidad del producto.