Samsung presentó nuevas memorias GDDR7 y HBM3E de alto rendimiento

Durante el evento Memory Tech Day, Samsung compartió información sobre algunos modelos de memoria de próxima generación, GDDR7 y HBM3E, esta última diseñada para integrarse bien con la IA y las GPU.

GDDR7 lleva algún tiempo en desarrollo y se utilizará en las tarjetas gráficas RTX 50 (Blackwell) y RX 8000 (RDNA 4) de próxima generación. Entre otras cosas, se dice que la nueva memoria consume un 50% menos de energía en modo de espera, aunque Samsung no ha dado demasiados detalles.

GDDR7 también utilizará la señalización PAM3, más fácil de fabricar y, por tanto, más accesible.

Las tarjetas de vídeo con memoria GDDR7 estarán disponibles dentro de un año como muy pronto y es probable que se encuentren primero en las máquinas más sofisticadas.

La HBM3E es otra memoria de nueva generación que Samsung ha desvelado bajo el nombre en clave Shinebolt. La memoria puede alcanzar una velocidad de 9,8 Gbps por contacto con un ancho de banda de 1.225 GB/s por pila, lo que supera con creces las cifras ofrecidas por sus predecesoras. También se pueden enlazar instancias independientes de la memoria, lo que permite alcanzar hasta 216 GB con 7,35 TB de ancho de banda.