SK hynix impulsa la memoria flash hacia el futuro

SK hynix ha marcado un nuevo hito en la industria al convertirse en la primera compañía del mundo en producir en masa memoria flash 3D QLC NAND de 321 capas. Para imaginarlo, piense en un rascacielos con 321 pisos, solo que cada nivel está hecho de datos. Hasta ahora, nadie había logrado superar la barrera de las 300 capas en memoria QLC. Este avance significa mayor capacidad de almacenamiento en el mismo formato compacto, llevando al límite lo que la memoria flash puede ofrecer.

Más rápida, más inteligente y más eficiente

Los nuevos chips no solo almacenan más datos. Son significativamente más rápidos y energéticamente más eficientes:

• La velocidad de transferencia de datos se ha duplicado.
• La velocidad de escritura ha aumentado un 56 %, haciendo que guardar archivos sea casi instantáneo.
• La eficiencia energética ha mejorado en un 23 %, un factor crucial para los centros de datos y las operaciones de IA, donde los costos eléctricos alcanzan millones.

Esta combinación de velocidad y eficiencia marcará una gran diferencia no solo en dispositivos personales, sino también en sistemas de computación a gran escala.

<H2> De PCs para gaming a smartphones

Los primeros dispositivos en adoptar esta memoria de nueva generación serán las SSDs para PCs de gaming y portátiles. Los jugadores y creadores notarán más espacio, tiempos de carga más rápidos y un rendimiento más fluido. Más adelante, la tecnología se expandirá a servidores y teléfonos inteligentes, desbloqueando nuevo potencial para la computación en la nube y las aplicaciones móviles.

SK hynix espera que los primeros productos con estos chips de 321 capas lleguen al mercado en la primera mitad del próximo año. Esto marca el inicio de un nuevo capítulo en la innovación de la memoria flash.