Construyendo el futuro de la memoria: dentro de Fab2

Kioxia y Sandisk han inaugurado en Japón su nueva planta de semiconductores Fab2, dedicada a la producción de memoria 3D NAND de próxima generación. La gran novedad es un diseño de 218 capas que eleva la densidad de almacenamiento. En 2020 los chips más avanzados tenían 96 capas y hoy 176 capas son el estándar en SSD de alto rendimiento. Con 218 capas, Fab2 promete menor costo por bit y mayor eficiencia. Esta memoria se usará en centros de datos, teléfonos inteligentes e incluso automóviles.

Chips y fábricas más inteligentes

Fab2 no solo busca mayor densidad. También utiliza CMOS direct bonded to Array (CBA). En lugar de separar la lógica de control de la matriz de memoria, las une, reduciendo la latencia y acelerando cargas de trabajo como el entrenamiento de IA. En sistemas que mueven enormes volúmenes de datos a través de GPU, incluso pequeñas reducciones de latencia son críticas. La propia fábrica confía en la inteligencia artificial, que supervisa salas limpias y predice el mantenimiento del equipo.

Competencia y perspectivas

Kioxia, que nació de Toshiba, y Sandisk colaboran desde hace más de veinte años. Su nueva inversión cuenta con subsidios del gobierno japonés aprobados en 2024. Se espera que Fab2 alcance grandes volúmenes de producción a mediados de 2026. Mientras tanto, los rivales avanzan. SK hynix ya distribuye chips 3D QLC NAND de 321 capas con mayor velocidad de escritura y mejor eficiencia energética. La carrera por memorias más densas, rápidas y eficientes se intensifica, y Fab2 será una pieza clave en ella.