El primer chip de memoria de Samsung con tecnología inferior a 10 nm

Recientemente, Samsung Electronics ha desarrollado el primer chip DRAM funcional con tecnología inferior a 10 nm.

La litografía en el sector de la fabricación de microchips

En el sector de la fabricación de microchips, hasta hace poco, los fabricantes dominaban los procesos tecnológicos de 10 nm, que se clasifican en el siguiente orden: 1x, 1y, 1z, 1a, 1b, 1c y 1d. Los especialistas de Samsung han logrado crear la primera muestra de un chip DRAM con el proceso tecnológico de la generación 10a. Las dimensiones lineales estarán comprendidas entre 9,5 y 9,7 nm.

La siguiente etapa prevé el uso de esta nueva tecnología en 2028 para la fabricación de chips de memoria. Las tecnologías 10a, 10b y 10c utilizarán la arquitectura de celdas 4F2, así como transistores de canal vertical. Con la siguiente tecnología, la 10d, está prevista la transición a la DRAM 3D.

La empresa puede enfrentarse a ciertos riesgos al implementar la tecnología 10a, que pueden estar relacionados con el aumento de la densidad de colocación de las celdas de memoria. Esta estructura implica un aumento de las celdas de entre un 30 % y un 50 %. Además de los cambios evidentes en el diseño, relacionados con la ubicación del condensador y la fabricación de circuitos periféricos en un chip independiente, también habrá cambios en la composición química de los elementos. Los canales de los transistores se fabricarán con zinc, galio y óxido de indio.

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