Lam Research e IBM se alían para crear un resistente EUV

Recientemente, Lam Research e IBM han anunciado una colaboración a largo plazo de cinco años, centrada en el desarrollo de un resistente EUV para procesos tecnológicos de menos de 1 nm.

Una colaboración duradera con un objetivo común

El nuevo proyecto se centra en el desarrollo de un proceso tecnológico para aumentar la producción de microchips de menos de 1 nm. Las empresas tienen previsto utilizar la tecnología de resina seca Aether y la litografía EUV de alta apertura. Está previsto que el proceso de desarrollo se lleve a cabo en el centro IBM Research de Albany.

Las empresas llevan colaborando desde hace bastante tiempo, casi 10 años, y han logrado resultados significativos en la arquitectura de transistores de nanoláminas, el proceso tecnológico de 7 nm y muchos otros proyectos.

En el nuevo proyecto, las empresas tienen previsto centrarse en la validación de procesos tecnológicos completos, el suministro de alimentación desde la parte posterior utilizando las plataformas Akara y Kiyo, el resistente seco Aether y los sistemas de refrigeración ALTUS Halo y Striker.

El resistente seco Aether se aplica utilizando precursores en fase de vapor y se procesa mediante un proceso seco de plasma. Los compuestos organometálicos de Aether absorben más radiación ultravioleta. De este modo, se minimiza la dosis de irradiación y se mantiene la formación del patrón en una sola pasada. Este enfoque es considerablemente más económico en comparación con la formación del patrón en múltiples pasadas.

En general, el nuevo proyecto tiene como objetivo garantizar una transferencia fiable de las máscaras EUV de alta frecuencia, así como acelerar la implantación de la tecnología EUV. El uso de resina seca ofrece importantes ventajas, y la reducción de los pasos del proceso repercutirá positivamente en la calidad de la máscara.

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