Samsung ha anunciado que iniciará la producción en masa de su memoria flash V9 QLC NAND de 9ª generación, tras el lanzamiento de la 9ª generación TLC. La empresa promete velocidades más rápidas, un coste asequible y una densidad de almacenamiento un 86% superior a la de la memoria de última generación. La densidad de almacenamiento en V9 QLC será mayor gracias a la tecnología Can Hole Etching, que permite un número récord (280) de capas mediante un diseño de doble pila.
Esta generación de memoria también utiliza las tecnologías Designed Mold y Predictive Program para aumentar la capacidad de almacenamiento en un 20% y las velocidades de E/S en un 60%. Otra característica distintiva de las unidades es la reducción del consumo de energía gracias a la tecnología Low-Power Design, que ha reducido el consumo en un 30% para la lectura de datos y en un 50% para la escritura.
Samsung tiene previsto utilizar la memoria flash en diversos productos, como unidades SSD de consumo, Universal Flash Storage (UFS) para dispositivos móviles e incluso unidades SSD de servidor para soluciones en la nube, lo que demuestra la versatilidad de la nueva unidad.
En cuanto a la competencia, la nueva generación de memorias de Samsung tiene una densidad y un rendimiento un 50% y un 30% superiores, respectivamente (en comparación con su análogo más cercano).
Pero la principal característica de la unidad de Samsung es que tendrá un precio mucho más bajo en comparación con el resto de la gama. Y todo ello gracias a las actualizaciones técnicas y la mejora de la eficiencia que permitirán que la V9 QLC tenga un rendimiento a la altura de la memoria TLC (Triple-Level Cell).
